Si plate <100> (本征/N型/P型) 单抛

99.99% SiO powder

99.9% Si3N4 powder α相

99.5% SiC powder

99.999% SiC substrate

99.999% SiC substrate

玻璃晶圆 双抛

99.99% Si2Te3 target

99.9% Co:Si=1:1 at%

99.99% Al:Si=70:30 wt%；Al:Si=80:20 wt%；Al:Si=87.4:12.6 wt%；Al:Si=50:50 wt%；Al:Si=99:1 wt%