不平衡磁控溅射，是指阴极内外磁极部分的磁通量不等。不平衡磁场的作用是捕获从目标表面逸出的快速移动的二次电子。这些电子与远离靶材表面的中性气体原子发生电离碰撞，并在衬底区域产生更多的离子和更多的电子，从而大大增加了衬底离子轰击。由于不平衡磁控溅射的发展，薄膜的质量大大提高。

二、射频 (RF) 溅射

射频溅射是利用射频放电等离子体中的溅射靶材轰击靶材，溅射靶材原子沉积在接地基板表面的技术。将负电位施加到放置在绝缘目标背面的导体上。在辉光放电的等离子体中，当正离子加速到导板时，前绝缘靶受到轰击和溅射。溅射只能维持10-7秒，之后绝缘靶板上积累的正电子抵消了导体板上的负电位，从而停止了高能正离子对绝缘靶的轰击。此时，如果电源极性接反，电子将轰击绝缘板并在10-9秒内中和绝缘板上的正电荷使其为零。而如果再次将电源极性接反，可产生10-7秒的溅射。

三、直流（DC）磁控溅射

磁控溅射镀膜装置在直流溅射阴极靶上加上磁场，利用磁场的洛伦兹力束缚和延长电子在电场中的轨迹，增加电子与气体原子的碰撞机会以及气体原子的电离，增加了轰击目标的高能离子，减少了轰击镀层基板的高能电子。

四、离子束溅射

离子束溅射 (IBS) 是一种薄膜沉积技术，它使用离子源将溅射靶材沉积到基板上，以生产具有出色精度的最高质量薄膜。与其他溅射方法相比，离子束溅射精度更高，可以准确控制基板的厚度。通常由离子枪产生的离子束聚焦在溅射靶上，溅射靶材料最终沉积在基板上以形成薄膜。

五、反应磁控溅射

反应溅射是一种通过引入反应气体（氧气或氮气）来沉积化合物薄膜的工艺。它通常用于溅射氧化物、氮化物、碳化物和三者的混合物。

在反应溅射过程中，反应气体与溅射镀膜靶发生化学反应，随后沉积在基板上。反应溅射工艺的目的是制造化学计量和结构受到严格控制的薄膜。通过控制惰性气体和反应性气体的相对量，可以实现对所得薄膜的组成控制。